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集成电路布图设计专有权公告(2017年12月13日)
发布时间:2017-12-13

布图设计登记号:BS.175526028
布图设计申请日:2017年4月17日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15071
布图设计名称:应用于温度传感器二级跨导运算放大器电路
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:福州大学
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:福建省福州市闽侯县上街镇学园路2号
布图设计创作人:魏榕山、刘章旺、欧阳魁
代理机构:福州元创专利商标代理有限公司
代理人:蔡学俊
布图设计创作完成日:2017年3月16日


布图设计登记号:BS.175526052
布图设计申请日:2017年4月17日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15072
布图设计名称:应用于智能温度传感器的前端运放电路
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:福州大学
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:福建省福州市闽侯县上街镇学园路2号
布图设计创作人:魏榕山、王珏、莫寒以
代理机构:福州元创专利商标代理有限公司
代理人:蔡学俊
布图设计创作完成日:2017年3月22日


布图设计登记号:BS.175526249
布图设计申请日:2017年4月21日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15073
布图设计名称:CRE2281
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:深圳市康源半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市深圳市宝安区新安街道前进路西侧冠利达大厦一栋304-02
布图设计创作人:深圳市康源半导体有限公司
布图设计创作完成日:2016年10月18日


布图设计登记号:BS.175526257
布图设计申请日:2017年4月21日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15074
布图设计名称:CRE8308
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:深圳市康源半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市宝安区新安街道前进路西侧冠利达大厦一栋304-02
布图设计创作人:深圳市康源半导体有限公司
布图设计创作完成日:2017年2月24日


布图设计登记号:BS.175526265
布图设计申请日:2017年4月21日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15075
布图设计名称:CRE62530
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:深圳市康源半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市深圳市宝安区新安街道前进路西侧冠利达大厦一栋304-02
布图设计创作人:深圳市康源半导体有限公司
布图设计创作完成日:2016年12月22日


布图设计登记号:BS.175526273
布图设计申请日:2017年4月21日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15076
布图设计名称:CRE6901
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:深圳市康源半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市宝安区新安街道前进路西侧冠利达大厦一栋304-02
布图设计创作人:深圳市康源半导体有限公司
布图设计创作完成日:2016年12月22日


布图设计登记号:BS.175526281
布图设计申请日:2017年4月21日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15077
布图设计名称:CRE8360H3
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:深圳市康源半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市深圳市宝安区新安街道前进路西侧冠利达大厦一栋304-02
布图设计创作人:深圳市康源半导体有限公司
布图设计创作完成日:2016年10月18日


布图设计登记号:BS.175526575
布图设计申请日:2017年5月2日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15078
布图设计名称:COOL MOSFET CRE 18N80
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:NMOS
    功能:线性
布图设计权利人:深圳市康源半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市宝安区新安街道前进路西侧冠利达大厦一栋304-02
布图设计创作人:深圳市康源半导体有限公司
布图设计创作完成日:2017年3月1日


布图设计登记号:BS.175526583
布图设计申请日:2017年5月2日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15079
布图设计名称:COOL MOSFET CRE 47N60
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:NMOS
    功能:线性
布图设计权利人:深圳市康源半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市深圳市宝安区新安街道前进路西侧冠利达大厦一栋304-02
布图设计创作人:深圳市康源半导体有限公司
布图设计创作完成日:2017年3月1日


布图设计登记号:BS.175526826
布图设计申请日:2017年5月10日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15080
布图设计名称:沟槽型DMOS功率器件芯片PT3080
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:其他
    功能:逻辑
布图设计权利人:深圳市金誉半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市龙华新区大浪街道华昌路315号金誉工业园
布图设计创作人:杨东霓、胡慧雄、顾南雁
代理机构:深圳市中科创为专利代理有限公司
代理人:曹红梅
布图设计创作完成日:2015年3月28日


布图设计登记号:BS.175526834
布图设计申请日:2017年5月10日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15081
布图设计名称:肖特基功率器件芯片PT2045
布图设计类别:
    结构:其他
    技术:其他
    功能:逻辑
布图设计权利人:深圳市金誉半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市龙华新区大浪街道华昌路315号金誉工业园
布图设计创作人:杨东霓、胡慧雄、顾南雁
代理机构:深圳市中科创为专利代理有限公司
代理人:曹红梅
布图设计创作完成日:2015年3月28日


布图设计登记号:BS.175527407
布图设计申请日:2017年5月26日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15082
布图设计名称:GK7102C
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:成都国科微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省成都市高新区高朋大道3号B座5层
布图设计创作人:成都国科微电子有限公司
代理机构:北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:朱紫晓
布图设计创作完成日:2017年5月10日


布图设计登记号:BS.175003386
布图设计申请日:2017年5月22日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15083
布图设计名称:BJ8M604A
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:深圳市博巨兴实业发展有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港D栋四楼
布图设计创作人:程仙娟
代理机构:深圳中一专利商标事务所
代理人:张全文
布图设计创作完成日:2016年5月20日
布图设计首次商业利用日:2016年8月1日


布图设计登记号:BS.175003394
布图设计申请日:2017年5月22日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15084
布图设计名称:BJ8M605A
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:深圳市博巨兴实业发展有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港D栋四楼
布图设计创作人:程仙娟
代理机构:深圳中一专利商标事务所
代理人:张全文
布图设计创作完成日:2016年6月10日
布图设计首次商业利用日:2016年9月1日


布图设计登记号:BS.175003408
布图设计申请日:2017年5月22日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15085
布图设计名称:BJ8M304A
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:深圳市博巨兴实业发展有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港D栋四楼
布图设计创作人:程仙娟
代理机构:深圳中一专利商标事务所
代理人:张全文
布图设计创作完成日:2016年1月10日
布图设计首次商业利用日:2016年3月1日


布图设计登记号:BS.175003416
布图设计申请日:2017年5月22日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15086
布图设计名称:BJ8M608A
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:深圳市博巨兴实业发展有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港D栋四楼
布图设计创作人:程仙娟
代理机构:深圳中一专利商标事务所
代理人:张全文
布图设计创作完成日:2016年7月20日
布图设计首次商业利用日:2016年10月10日


布图设计登记号:BS.175003424
布图设计申请日:2017年5月22日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15087
布图设计名称:BJSC802A
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:深圳市博巨兴实业发展有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港D栋四楼
布图设计创作人:程仙娟
代理机构:深圳中一专利商标事务所
代理人:张全文
布图设计创作完成日:2016年8月20日
布图设计首次商业利用日:2016年11月1日


布图设计登记号:BS.175003432
布图设计申请日:2017年5月22日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15088
布图设计名称:BJEC026A
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:深圳市博巨兴实业发展有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港D栋四楼
布图设计创作人:程仙娟
代理机构:深圳中一专利商标事务所
代理人:张全文
布图设计创作完成日:2016年9月6日
布图设计首次商业利用日:2016年11月1日


布图设计登记号:BS.175003440
布图设计申请日:2017年5月22日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15089
布图设计名称:BJ8M503A
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:深圳市博巨兴实业发展有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港D栋四楼
布图设计创作人:深圳市博巨兴实业发展有限公司
代理机构:深圳中一专利商标事务所
代理人:张全文
布图设计创作完成日:2016年4月30日
布图设计首次商业利用日:2016年12月30日


布图设计登记号:BS.175003459
布图设计申请日:2017年5月22日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15090
布图设计名称:BJ8M504A
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:深圳市博巨兴实业发展有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港D栋四楼
布图设计创作人:深圳市博巨兴实业发展有限公司
代理机构:深圳中一专利商标事务所
代理人:张全文
布图设计创作完成日:2016年8月10日
布图设计首次商业利用日:2016年12月30日


布图设计登记号:BS.175002940
布图设计申请日:2017年4月21日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15091
布图设计名称:锂电池保护电路
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:东莞市丰颂电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省东莞市高埗镇冼沙北王路同富科技园D栋3楼B区
布图设计创作人:东莞市丰颂电子有限公司
布图设计创作完成日:2016年11月18日


布图设计登记号:BS.175003203
布图设计申请日:2017年5月15日
公告日期:2017年12月13日
公告号:15092
布图设计名称:一种集成小功率管的高压功率VDMOSD5916
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:NMOS
    功能:其他
布图设计权利人:无锡市晶源微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区106-C地块A幢209室
布图设计创作人:无锡市晶源微电子有限公司
布图设计创作完成日:2016年9月19日