您现在的位置: 首页 > 集成电路公告
集成电路布图设计专有权公告(2018年2月23日)
发布时间:2018-02-23

布图设计登记号:BS.175530319
布图设计申请日:2017年8月4日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15583
布图设计名称:HG2017003
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:珠海泰芯半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省珠海市高新区唐家湾镇港湾大道科技一路10号主楼第六层605房B单元
布图设计创作人:李兴祥、颜承伟、甄晖容、陈国安
布图设计创作完成日:2017年7月10日


布图设计登记号:BS.175005605
布图设计申请日:2017年7月14日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15584
布图设计名称:CE6230
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:南京芯力微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市玄武大道699-8徐庄软件园研发一区3栋3层
布图设计创作人:南京芯力微电子有限公司
代理机构:南京经纬专利商标代理有限公司
代理人:楼然
布图设计创作完成日:2016年8月12日


布图设计登记号:BS.175005613
布图设计申请日:2017年7月14日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15585
布图设计名称:CE8304
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:南京芯力微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市玄武大道699-8徐庄软件园研发一区3栋3层
布图设计创作人:南京芯力微电子有限公司
代理机构:南京经纬专利商标代理有限公司
代理人:楼然
布图设计创作完成日:2016年5月27日


布图设计登记号:BS.175006660
布图设计申请日:2017年7月29日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15586
布图设计名称:磁阻式角度传感器信号处理芯片
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:上海麦歌恩微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区紫萍路908弄17号楼
布图设计创作人:陈志卿
代理机构:上海金盛协力知识产权代理有限公司
代理人:王松
布图设计创作完成日:2017年7月24日


布图设计登记号:BS.175006679
布图设计申请日:2017年7月29日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15587
布图设计名称:MASH2-1结构Sigma-Delta调制器
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:上海麦歌恩微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区紫萍路908弄17号楼
布图设计创作人:陆游
代理机构:上海金盛协力知识产权代理有限公司
代理人:王松
布图设计创作完成日:2017年7月21日


布图设计登记号:BS.175006687
布图设计申请日:2017年7月29日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15588
布图设计名称:MT4412
布图设计类别:
    结构:Bipolar
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:上海麦歌恩微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区紫萍路908弄17号楼
布图设计创作人:古炯钧
代理机构:上海金盛协力知识产权代理有限公司
代理人:王松
布图设计创作完成日:2017年7月15日


布图设计登记号:BS.175006695
布图设计申请日:2017年7月29日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15589
布图设计名称:MT3411
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:上海麦歌恩微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区紫萍路908弄17号楼
布图设计创作人:古烔钧
代理机构:上海金盛协力知识产权代理有限公司
代理人:王松
布图设计创作完成日:2017年7月5日


布图设计登记号:BS.175006709
布图设计申请日:2017年7月29日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15590
布图设计名称:垂直霍尔传感器IP核
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:上海麦歌恩微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区紫萍路908弄17号楼
布图设计创作人:陈志卿
代理机构:上海金盛协力知识产权代理有限公司
代理人:王松
布图设计创作完成日:2017年7月24日


布图设计登记号:BS.175006377
布图设计申请日:2017年7月10日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15591
布图设计名称:USB3.0-SATA-III/eMMC Bridge控制器
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:杭州华澜微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:浙江省杭州市萧山区建设一路66号华瑞中心1号楼22层
布图设计创作人:刘海銮、周建国
代理机构:北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人:张瑾
布图设计创作完成日:2016年6月10日
布图设计首次商业利用日:2017年3月1日


布图设计登记号:BS.175006415
布图设计申请日:2017年7月24日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15592
布图设计名称:QH163B
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑_其他
布图设计权利人:江苏沁恒股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市雨花台区宁双路18号
布图设计创作人:江苏沁恒股份有限公司
布图设计创作完成日:2015年9月22日
布图设计首次商业利用日:2015年12月2日


布图设计登记号:BS.175006423
布图设计申请日:2017年7月24日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15593
布图设计名称:YH169B
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑_其他
布图设计权利人:南京异或科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市雨花台区宁双路18号沁恒科技园C栋
布图设计创作人:南京异或科技有限公司
布图设计创作完成日:2015年11月22日
布图设计首次商业利用日:2016年3月25日


布图设计登记号:BS.175006431
布图设计申请日:2017年7月24日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15594
布图设计名称:YH466B
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑_其他
布图设计权利人:南京异或科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市雨花台区宁双路18号沁恒科技园C栋
布图设计创作人:南京异或科技有限公司
布图设计创作完成日:2016年9月6日
布图设计首次商业利用日:2016年11月10日


布图设计登记号:BS.17500644X
布图设计申请日:2017年7月24日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15595
布图设计名称:YH2051
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑_其他
布图设计权利人:南京异或科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市雨花台区宁双路18号沁恒科技园C栋
布图设计创作人:南京异或科技有限公司
布图设计创作完成日:2017年3月23日
布图设计首次商业利用日:2017年6月30日


布图设计登记号:BS.17500661X
布图设计申请日:2017年7月26日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15596
布图设计名称:YH266B
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:南京异或科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市雨花台区宁双路18号沁恒科技园C栋
布图设计创作人:南京异或科技有限公司
布图设计创作完成日:2016年6月6日
布图设计首次商业利用日:2016年8月19日


布图设计登记号:BS.175006628
布图设计申请日:2017年7月26日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15597
布图设计名称:YH2043
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑_其他
布图设计权利人:南京异或科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市雨花台区宁双路18号沁恒科技园C栋
布图设计创作人:南京异或科技有限公司
布图设计创作完成日:2017年3月15日
布图设计首次商业利用日:2017年7月12日


布图设计登记号:BS.175006636
布图设计申请日:2017年7月26日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15598
布图设计名称:QH057B
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑_其他
布图设计权利人:江苏沁恒股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市雨花台区宁双路18号
布图设计创作人:江苏沁恒股份有限公司
布图设计创作完成日:2017年3月7日
布图设计首次商业利用日:2017年6月16日


布图设计登记号:BS.17552808X
布图设计申请日:2017年6月14日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15599
布图设计名称:CS2903E
布图设计类别:
    结构:Bipolar
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:无锡华润矽科微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省无锡市无锡太湖国际科技园菱湖大道180号-22
布图设计创作人:无锡华润矽科微电子有限公司
布图设计创作完成日:2016年6月12日
布图设计首次商业利用日:2016年11月18日


布图设计登记号:BS.175528098
布图设计申请日:2017年6月14日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15600
布图设计名称:CS4227
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:无锡华润矽科微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省无锡市无锡太湖国际科技园菱湖大道180号-22
布图设计创作人:无锡华润矽科微电子有限公司
布图设计创作完成日:2016年3月7日


布图设计登记号:BS.175528101
布图设计申请日:2017年6月14日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15601
布图设计名称:CS5706
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:无锡华润矽科微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省无锡市无锡太湖国际科技园菱湖大道180号-22
布图设计创作人:无锡华润矽科微电子有限公司
布图设计创作完成日:2015年10月15日
布图设计首次商业利用日:2016年2月20日


布图设计登记号:BS.175530858
布图设计申请日:2017年8月17日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15602
布图设计名称:异步3A车载充电器芯片_DC002
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:曹建林
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市龙岗区布澜路31号李朗国际珠宝软件园A1栋301
布图设计创作人:曹建林
布图设计创作完成日:2014年12月5日


布图设计登记号:BS.175006946
布图设计申请日:2017年8月9日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15603
布图设计名称:虚拟货币挖矿芯片BT1000
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:深圳比特微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市南山区南山街道月亮湾大道2076号高科集团大楼7楼79055
布图设计创作人:杨作兴、刘子熹、郭海丰
代理机构:深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:贾振国
布图设计创作完成日:2016年12月12日
布图设计首次商业利用日:2017年2月15日


布图设计登记号:BS.175006970
布图设计申请日:2017年8月10日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15604
布图设计名称:PUXIAN3
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:上海富瀚微电子股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市闵行区吴中路1050号A座703室
布图设计创作人:刘文江、罗自立、刘磊、宋世杰、苏应奋
布图设计创作完成日:2017年5月25日


布图设计登记号:BS.175528292
布图设计申请日:2017年6月21日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15605
布图设计名称:GSC3280
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:微型计算机
布图设计权利人:北京神州龙芯集成电路设计有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:北京市海淀区知春路27号量子芯座1006号
布图设计创作人:张玥
代理机构:北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:余长江
布图设计创作完成日:2015年1月1日
布图设计首次商业利用日:2016年1月1日


布图设计登记号:BS.175528918
布图设计申请日:2017年7月6日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15606
布图设计名称:EX721
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:其他
    功能:线性
布图设计权利人:安徽爱科森齐微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区创新大道2800号合肥创新产业园二期F区1幢2106
布图设计创作人:安徽爱科森齐微电子科技有限公司
布图设计创作完成日:2017年5月9日


布图设计登记号:BS.175006997
布图设计申请日:2017年8月10日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15607
布图设计名称:FM24VS64
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:存储_其他
布图设计权利人:上海复旦微电子集团股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市杨浦区国泰路127号4号楼
布图设计创作人:上海复旦微电子集团股份有限公司
布图设计创作完成日:2017年7月30日


布图设计登记号:BS.175007004
布图设计申请日:2017年8月10日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15608
布图设计名称:40nm_Bandgap
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:创达特(苏州)科技有限责任公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园二期C504
布图设计创作人:创达特(苏州)科技有限责任公司
布图设计创作完成日:2017年5月10日


布图设计登记号:BS.175007012
布图设计申请日:2017年8月10日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15609
布图设计名称:40nm_p11
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:创达特(苏州)科技有限责任公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园二期C504
布图设计创作人:创达特(苏州)科技有限责任公司
布图设计创作完成日:2017年5月15日


布图设计登记号:BS.175007020
布图设计申请日:2017年8月10日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15610
布图设计名称:Tx_filter_core
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:创达特(苏州)科技有限责任公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园二期C504
布图设计创作人:创达特(苏州)科技有限责任公司
布图设计创作完成日:2017年6月20日


布图设计登记号:BS.175007039
布图设计申请日:2017年8月10日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15611
布图设计名称:Reg2p0_master
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:创达特(苏州)科技有限责任公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园二期C504
布图设计创作人:创达特(苏州)科技有限责任公司
布图设计创作完成日:2017年4月27日


布图设计登记号:BS.175007047
布图设计申请日:2017年8月10日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15612
布图设计名称:Reg1p6_master
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:创达特(苏州)科技有限责任公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园二期C504
布图设计创作人:创达特(苏州)科技有限责任公司
布图设计创作完成日:2017年4月25日


布图设计登记号:BS.175007055
布图设计申请日:2017年8月10日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15613
布图设计名称:por_top
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:创达特(苏州)科技有限责任公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园二期C504
布图设计创作人:创达特(苏州)科技有限责任公司
布图设计创作完成日:2017年6月20日


布图设计登记号:BS.175007063
布图设计申请日:2017年8月10日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15614
布图设计名称:Reg1p1_master
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:创达特(苏州)科技有限责任公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园二期C504
布图设计创作人:创达特(苏州)科技有限责任公司
布图设计创作完成日:2017年4月23日


布图设计登记号:BS.175007071
布图设计申请日:2017年8月10日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15615
布图设计名称:Constant_current
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:创达特(苏州)科技有限责任公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园二期C504
布图设计创作人:创达特(苏州)科技有限责任公司
布图设计创作完成日:2017年5月25日


布图设计登记号:BS.175007179
布图设计申请日:2017年8月12日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15616
布图设计名称:P25Q80
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:NMOS
    功能:存储
布图设计权利人:普冉半导体(上海)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区盛夏路560号406室
布图设计创作人:王璐
代理机构:上海信好专利代理事务所(普通合伙)
代理人:潘朱慧
布图设计创作完成日:2017年3月19日
布图设计首次商业利用日:2017年5月20日


布图设计登记号:BS.175007187
布图设计申请日:2017年8月12日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15617
布图设计名称:P25Q40
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:NMOS
    功能:存储
布图设计权利人:普冉半导体(上海)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区盛夏路560号406室
布图设计创作人:王璐、童红亮
代理机构:上海信好专利代理事务所(普通合伙)
代理人:潘朱慧
布图设计创作完成日:2016年10月23日
布图设计首次商业利用日:2017年3月10日


布图设计登记号:BS.175007195
布图设计申请日:2017年8月12日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15618
布图设计名称:P24C64C
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:NMOS
    功能:存储
布图设计权利人:普冉半导体(上海)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区盛夏路560号406室
布图设计创作人:王璐
代理机构:上海信好专利代理事务所(普通合伙)
代理人:潘朱慧
布图设计创作完成日:2016年3月7日
布图设计首次商业利用日:2016年6月20日


布图设计登记号:BS.175530394
布图设计申请日:2017年8月7日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15619
布图设计名称:NFC动态加密防伪芯片
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑-存储
布图设计权利人:珠海晶通科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省珠海市唐家湾镇哈工大路1号1栋B201
布图设计创作人:支伟宇;谢柱能;张清贵
布图设计创作完成日:2017年7月4日


布图设计登记号:BS.175005508
布图设计申请日:2017年7月5日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15620
布图设计名称:GST83M100
布图设计类别:
    结构:其他
    技术:NMOS
    功能:其他
布图设计权利人:广微集成技术(深圳)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市深圳市南山区高新南6道6号迈科龙大厦6A02
布图设计创作人:单亚东、谢刚、张伟、李一枝
代理机构:工业和信息化部电子专利中心
代理人:田卫平
布图设计创作完成日:2016年11月20日


布图设计登记号:BS.175530262
布图设计申请日:2017年8月4日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15621
布图设计名称:力同A6芯片
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:力同科技股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市南山区高新南一道009号中国科技开发园三号楼17楼 
布图设计创作人:力同科技股份有限公司
代理机构:广东卓建律师事务所
代理人:郑昌斌
布图设计创作完成日:2017年1月22日


布图设计登记号:BS.175530483
布图设计申请日:2017年8月9日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15622
布图设计名称:一种高速音频运算放大器
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:成都蕊源半导体科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省成都市自由贸易试验区成都高新区益州大道中段722号1栋1单元20楼2001号
布图设计创作人:成都蕊源半导体科技有限公司
代理机构:成都君合集专利代理事务所(普通合伙)
代理人:5122812743.5
布图设计创作完成日:2017年6月20日


布图设计登记号:BS.175531560
布图设计申请日:2017年8月26日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15623
布图设计名称:高速多媒体信号传送器
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:合肥赛微莱特电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区天通路10号软件园3号楼3层F31号
布图设计创作人:黄纪业
布图设计创作完成日:2017年6月30日


布图设计登记号:BS.175531579
布图设计申请日:2017年8月26日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15624
布图设计名称:高速多媒体信号放大器
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:合肥赛微莱特电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区天通路10号软件园3号楼3层F31号
布图设计创作人:黄纪业
布图设计创作完成日:2017年6月30日


布图设计登记号:BS.175531587
布图设计申请日:2017年8月26日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15625
布图设计名称:信号均衡放大器
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:合肥赛微莱特电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区天通路10号软件园3号楼3层F31号
布图设计创作人:黄纪业
布图设计创作完成日:2017年8月15日


布图设计登记号:BS.175531595
布图设计申请日:2017年8月26日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15626
布图设计名称:高速多媒体信号放大器组
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:合肥赛微莱特电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区天通路10号软件园3号楼3层F31号
布图设计创作人:黄纪业
布图设计创作完成日:2017年8月15日


布图设计登记号:BS.175531609
布图设计申请日:2017年8月26日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15627
布图设计名称:高速多媒体信号传送器组
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:合肥赛微莱特电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区天通路10号软件园3号楼3层F31号
布图设计创作人:黄纪业
布图设计创作完成日:2017年8月15日


布图设计登记号:BS.175531617
布图设计申请日:2017年8月26日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15628
布图设计名称:高速推送器
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:合肥赛微莱特电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区天通路10号软件园3号楼3层F31号
布图设计创作人:黄纪业
布图设计创作完成日:2017年8月15日


布图设计登记号:BS.175531625
布图设计申请日:2017年8月26日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15629
布图设计名称:高速前端推送器
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:合肥赛微莱特电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区天通路10号软件园3号楼3层F31号
布图设计创作人:黄纪业
布图设计创作完成日:2017年8月15日


布图设计登记号:BS.175531633
布图设计申请日:2017年8月26日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15630
布图设计名称:自校准50欧姆电阻
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:合肥赛微莱特电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区天通路10号软件园3号楼3层F31号
布图设计创作人:黄纪业
布图设计创作完成日:2017年8月15日


布图设计登记号:BS.175531641
布图设计申请日:2017年8月26日
公告日期:2018年2月23日
公告号:15631
布图设计名称:高Q值电感
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:合肥赛微莱特电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区天通路10号软件园3号楼3层F31号
布图设计创作人:黄纪业
布图设计创作完成日:2017年8月15日