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集成电路布图设计专有权公告(2018年8月17日)
发布时间:2018-08-17

布图设计登记号:BS.175535779
布图设计申请日:2017年10月30日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16200
布图设计名称:MS36B
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:矽恩微电子(厦门)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:福建省厦门市思明区珍珠湾厦门软件园创新大厦A区12楼
布图设计创作人:矽恩微电子(厦门)有限公司
布图设计创作完成日:2011年12月30日


布图设计登记号:BS.175535787
布图设计申请日:2017年10月30日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16201
布图设计名称:MS57A
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:矽恩微电子(厦门)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:福建省厦门市思明区珍珠湾厦门软件园创新大厦A区12楼
布图设计创作人:矽恩微电子(厦门)有限公司
布图设计创作完成日:2012年12月31日


布图设计登记号:BS.175535795
布图设计申请日:2017年10月30日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16202
布图设计名称:MS60A
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:矽恩微电子(厦门)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:福建省厦门市思明区珍珠湾厦门软件园创新大厦A区12楼
布图设计创作人:矽恩微电子(厦门)有限公司
布图设计创作完成日:2013年12月31日


布图设计登记号:BS.175535809
布图设计申请日:2017年10月30日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16203
布图设计名称:MS62A
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:矽恩微电子(厦门)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:福建省厦门市思明区珍珠湾厦门软件园创新大厦A区12楼
布图设计创作人:矽恩微电子(厦门)有限公司
布图设计创作完成日:2012年12月31日


布图设计登记号:BS.175535817
布图设计申请日:2017年10月30日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16204
布图设计名称:E1750 POWER board Ver1.0
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:NMOS
    功能:其他
布图设计权利人:杭州安疌能动力科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:浙江省杭州市萧山区戴村镇三头村
布图设计创作人:许成君
布图设计创作完成日:2017年3月20日


布图设计登记号:BS.175536252
布图设计申请日:2017年11月1日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16205
布图设计名称:单端转差分电平转换电路
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:成都中科华微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省成都市高新区创业路16号火炬大厦B-702号
布图设计创作人:王涛
代理机构:北京天奇智新知识产权代理有限公司
代理人:杨春
布图设计创作完成日:2017年9月30日


布图设计登记号:BS.175536309
布图设计申请日:2017年11月2日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16206
布图设计名称:TS40V-1
布图设计类别:
    结构:其他
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:浙江美晶科技股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:浙江省湖州市吴兴区戴山路1888号吴兴区科技创业园8号标准厂房一楼
布图设计创作人:戴胜强
布图设计创作完成日:


布图设计登记号:BS.175536791
布图设计申请日:2017年11月9日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16207
布图设计名称:高压直流升压型转换芯片
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:深圳市中广芯源科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市宝安区沙井街道中心路金达城大厦3-11层(11楼K单元) 
布图设计创作人:罗妃艳、姜广献、罗猛
代理机构:北京汇信合知识产权代理有限公司
代理人:翟国明
布图设计创作完成日:2017年6月30日


布图设计登记号:BS.175536805
布图设计申请日:2017年11月9日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16208
布图设计名称:高压降压型直流转换芯片布图
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:深圳市中广芯源科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市宝安区沙井街道中心路金达城大厦3-11层(11楼K单元)
布图设计创作人:罗妃艳、姜广献、罗猛
代理机构:北京汇信合知识产权代理有限公司
代理人:翟国明
布图设计创作完成日:2017年6月30日


布图设计登记号:BS.175009899
布图设计申请日:2017年10月21日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16209
布图设计名称:集成APD阵列探测器
布图设计类别:
    结构:Bipolar
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:中国电子科技集团公司第四十四研究所
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:重庆市南岸区南坪花园14号
布图设计创作人:邓光平、钟四成、李仁豪、唐遵烈、李梦萄
代理机构:重庆辉腾律师事务所
代理人:侯春乐
布图设计创作完成日:2016年1月15日


布图设计登记号:BS.175009902
布图设计申请日:2017年10月21日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16210
布图设计名称:240X240元高帧频电子倍增CCD
布图设计类别:
    结构:其他
    技术:其他
    功能:其他
布图设计权利人:中国电子科技集团公司第四十四研究所
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:重庆市南岸区南坪花园14号
布图设计创作人:白雪平
代理机构:重庆辉腾律师事务所
代理人:侯春乐
布图设计创作完成日:2017年3月20日


布图设计登记号:BS.175009996
布图设计申请日:2017年10月25日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16211
布图设计名称:ATGC001_K
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:张家港万众一芯生物科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市张家港凤凰大道7号凤凰科创园D栋3层
布图设计创作人:张韬
代理机构:南京纵横知识产权代理有限公司
代理人:董建林
布图设计创作完成日:2017年9月9日


布图设计登记号:BS.175010005
布图设计申请日:2017年10月25日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16212
布图设计名称:ATGC001_KK
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:张家港万众一芯生物科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市张家港凤凰大道7号凤凰科创园D栋3层
布图设计创作人:张韬
代理机构:南京纵横知识产权代理有限公司
代理人:董建林
布图设计创作完成日:2017年9月9日


布图设计登记号:BS.17501017X
布图设计申请日:2017年10月23日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16213
布图设计名称:低功耗音频ADC芯片版图
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:武汉光华芯科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道62号光谷国际总部6幢801,802,807,808室
布图设计创作人:崔磊、吴飞
代理机构:北京路浩知识产权代理有限公司
代理人:王庆龙
布图设计创作完成日:2017年9月28日


布图设计登记号:BS.17501020X
布图设计申请日:2017年10月25日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16214
布图设计名称:EM1145型4通道千兆以太网收发电路
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:NMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:中国电子科技集团公司第三十二研究所
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市嘉定区嘉罗路1485号
布图设计创作人:於建、于健旺、徐国强
代理机构:上海汉声知识产权代理有限公司
代理人:郭国中
布图设计创作完成日:2016年12月15日
布图设计首次商业利用日:2017年6月2日


布图设计登记号:BS.175533458
布图设计申请日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16215
布图设计名称:BUCK内置基准电压电路BIBG
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥恺英信息科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼904室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年3月10日


布图设计登记号:BS.175533466
布图设计申请日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16216
布图设计名称:快速迟滞比较器FHCOMP
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥恺英信息科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼904室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年3月10日


布图设计登记号:BS.175533474
布图设计申请日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16217
布图设计名称:升压电荷泵专用4象限时钟产生电路FQNOCGCFBCP
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥恺英信息科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼904室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年4月6日


布图设计登记号:BS.175533482
布图设计申请日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16218
布图设计名称:增益可编程带静音音频前置放大电路GPWMFAPC
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥恺英信息科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼904室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年4月6日


布图设计登记号:BS.175533490
布图设计申请日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16219
布图设计名称:高增益可编程模数转换器参考电压产生电路HGPADCVG
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥恺英信息科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼904室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年5月8日


布图设计登记号:BS.175533504
布图设计申请日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16220
布图设计名称:高精度高抑制比多路参考电压产生电路HPHRMRVGC
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥恺英信息科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼904室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年5月20日


布图设计登记号:BS.175533512
布图设计申请日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16221
布图设计名称:高精度可编程电流基准HPPCREF
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥恺英信息科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼904室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年5月20日


布图设计登记号:BS.175533520
布图设计申请日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16222
布图设计名称:高速脉冲吞咽计数器HSPSC
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥恺英信息科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼904室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年5月20日


布图设计登记号:BS.175533539
布图设计申请日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16223
布图设计名称:低功耗与电源无关偏置电路LPBIAS
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥恺英信息科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼904室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年6月22日


布图设计登记号:BS.175533547
布图设计申请日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16224
布图设计名称:低功耗线性稳压器LPLDO
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥恺英信息科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼904室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年7月10日


布图设计登记号:BS.175533555
布图设计申请日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16225
布图设计名称:可编程锁定检测电路PLDC
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥恺英信息科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼904室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年7月10日


布图设计登记号:BS.175533563
布图设计申请日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16226
布图设计名称:快速短路保护电路QSCPC
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥恺英信息科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼904室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年8月28日


布图设计登记号:BS.175533571
布图设计申请日:2017年10月8日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16227
布图设计名称:单环1Bit量化二阶调制器SROBQSOM
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥恺英信息科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼904室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年9月30日


布图设计登记号:BS.17553358X
布图设计申请日:2017年10月9日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16228
布图设计名称:TP4100/TP4101(1000mA/500mA 线性锂电池充电、放电保护芯片
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:南京拓品微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市秦淮区石门坎104号现代服务大厦D座5层 
布图设计创作人:南京拓品微电子有限公司
布图设计创作完成日:2017年1月10日
布图设计首次商业利用日:2017年3月10日


布图设计登记号:BS.175533598
布图设计申请日:2017年10月9日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16229
布图设计名称:TP4067(3mA-600mA 线性锂离子电池充电器)
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:南京拓品微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市秦淮区石门坎104号现代服务大厦D座5F
布图设计创作人:南京拓品微电子有限公司
布图设计创作完成日:2016年9月15日
布图设计首次商业利用日:2016年11月11日

 

布图设计登记号:BS.175533601
布图设计申请日:2017年10月9日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16230
布图设计名称:TP8305B高效率恒流/限流WLED 驱动器
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:南京拓品微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市秦淮区石门坎104号现代服务大厦D座5楼
布图设计创作人:南京拓品微电子有限公司
布图设计创作完成日:2016年10月10日
布图设计首次商业利用日:2016年12月16日


布图设计登记号:BS.175533652
布图设计申请日:2017年10月9日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16231
布图设计名称:TP4056X(1A线性锂离子电池充电器)
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:南京拓品微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市秦淮区石门坎104号现代服务大厦D座5楼
布图设计创作人:南京拓品微电子有限公司
布图设计创作完成日:2017年3月1日
布图设计首次商业利用日:2017年5月10日


布图设计登记号:BS.175533660
布图设计申请日:2017年10月9日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16232
布图设计名称:TP5000X(2A开关型4.2V锂电池/3.6V铁锂电池充电器)
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:南京拓品微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市秦淮区石门坎104号现代服务大厦D座5楼
布图设计创作人:南京拓品微电子有限公司
布图设计创作完成日:2017年4月4日
布图设计首次商业利用日:2017年6月20日


布图设计登记号:BS.175533679
布图设计申请日:2017年10月9日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16233
布图设计名称:TP8307高效率恒流/限流WLED驱动器 
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:南京拓品微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市秦淮区石门坎104号现代服务大厦D座5楼 
布图设计创作人:南京拓品微电子有限公司
布图设计创作完成日:2017年3月15日
布图设计首次商业利用日:2017年6月2日


布图设计登记号:BS.175533687
布图设计申请日:2017年10月9日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16234
布图设计名称:TP5602 移动电源专用4合1单片系统
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:南京拓品微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市秦淮区石门坎104号现代服务大厦D座5楼
布图设计创作人:南京拓品微电子有限公司
布图设计创作完成日:2017年4月14日
布图设计首次商业利用日:2017年6月26日


布图设计登记号:BS.175533733
布图设计申请日:2017年10月9日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16235
布图设计名称:TP4054 线性锂离子电池充电器
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:线性
布图设计权利人:南京拓品微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省南京市秦淮区石门坎104号现代服务大厦D座5楼
布图设计创作人:南京拓品微电子有限公司
布图设计创作完成日:2016年8月8日
布图设计首次商业利用日:2016年11月8日


布图设计登记号:BS.175534012
布图设计申请日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16236
布图设计名称:12位可编程高速分频器12BPHSFD
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥博融科自动化科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼903室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年1月9日


布图设计登记号:BS.175534020
布图设计申请日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16237
布图设计名称:SOG内置选通电路SOGIMUX
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥博融科自动化科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼903室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年1月9日


布图设计登记号:BS.175534039
布图设计申请日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16238
布图设计名称:SOG内置低通滤波电路SOGLPF
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥博融科自动化科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼903室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年3月12日


布图设计登记号:BS.175534047
布图设计申请日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16239
布图设计名称:VADC内置模拟自我测试电路VADCABIST
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
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布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼903室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年3月12日


布图设计登记号:BS.175534055
布图设计申请日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16240
布图设计名称:VADC增益控制电路VADCGCTL
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
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布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼903室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年4月17日


布图设计登记号:BS.175534063
布图设计申请日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16241
布图设计名称:VADC内置基准电压电路VADCIBG
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
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布图设计权利人国籍:中国
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布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年4月17日


布图设计登记号:BS.175534071
布图设计申请日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16242
布图设计名称:VADC电流基准电路VADCIBIAS
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
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布图设计创作完成日:2017年5月22日


布图设计登记号:BS.17553408X
布图设计申请日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16243
布图设计名称:VADC内置选通电路VADCIMUX
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
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布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼903室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年6月24日


布图设计登记号:BS.175534098
布图设计申请日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16244
布图设计名称:VADC内置低通滤波电路VADCLPF
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
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布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年6月24日


布图设计登记号:BS.175534101
布图设计申请日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16245
布图设计名称:VADC内置电平转移电路VADCLS
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
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布图设计权利人国籍:中国
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布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年7月28日


布图设计登记号:BS.17553411X
布图设计申请日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16246
布图设计名称:VADC失调控制电路VADCOSCTL
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
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布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼903室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年8月18日


布图设计登记号:BS.175534136
布图设计申请日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16247
布图设计名称:VADC内置采样保持电路VADCSH
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
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布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼903室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年9月22日


布图设计登记号:BS.175534144
布图设计申请日:2017年10月11日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16248
布图设计名称:VADC内置SOG电路VADCSOG
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
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布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼903室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年10月10日


布图设计登记号:BS.175534195
布图设计申请日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16249
布图设计名称:具有ESD钳位功能的模拟接口电路ANAIC
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
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布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼907室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年6月28日


布图设计登记号:BS.175534209
布图设计申请日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16250
布图设计名称:电流型数模转换单元CMDACU
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
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布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼907室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年6月28日


布图设计登记号:BS.175534217
布图设计申请日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16251
布图设计名称:折叠型共源共栅运算放大器FCOPAMP
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
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布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年6月28日


布图设计登记号:BS.175534233
布图设计申请日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16252
布图设计名称:高精度10bit分段电流舵型数模转换电路HPSCSDAC
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
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布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼907室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年7月22日


布图设计登记号:BS.175534241
布图设计申请日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16253
布图设计名称:高电源抑制比带隙基准电路HPSRRBG
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
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布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年8月24日


布图设计登记号:BS.17553425X
布图设计申请日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16254
布图设计名称:热插拔阈值产生电路HPTGC
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
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布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼907室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年8月24日


布图设计登记号:BS.175534268
布图设计申请日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16255
布图设计名称:多功能高速接口电路MHSIC
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
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布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼907室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年9月19日


布图设计登记号:BS.175534276
布图设计申请日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16256
布图设计名称:基准电压偏置电流产生电路RVCGC
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥来芯半导体科技有限公司
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布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼907室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年9月19日


布图设计登记号:BS.175534284
布图设计申请日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16257
布图设计名称:分段电流舵电路单元SCSCU
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
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布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼907室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年9月19日


布图设计登记号:BS.175534292
布图设计申请日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16258
布图设计名称:SMIC180热插拔迟滞比较器SMICHPHC
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥来芯半导体科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼907室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年10月12日


布图设计登记号:BS.175534306
布图设计申请日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16259
布图设计名称:SMIC180晶体振荡器SMICOSC
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥来芯半导体科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼907室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年10月12日


布图设计登记号:BS.175534314
布图设计申请日:2017年10月13日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16260
布图设计名称:3通道分段电流舵型数模转换器TSCSDAC
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥来芯半导体科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼907室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年10月12日


布图设计登记号:BS.175534969
布图设计申请日:2017年10月18日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16261
布图设计名称:64位乘法器芯片
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥儒桢信息科技有限责任公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区天元路1号留学生园1号楼102室
布图设计创作人:陈川,高坤军
代理机构:北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:胡剑辉
布图设计创作完成日:2017年9月26日


布图设计登记号:BS.175534977
布图设计申请日:2017年10月18日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16262
布图设计名称:三阶低通滤波器
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥儒桢信息科技有限责任公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区天元路1号留学生园1号楼102室
布图设计创作人:陈川,高坤军
代理机构:北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:胡剑辉
布图设计创作完成日:2017年9月26日


布图设计登记号:BS.175534985
布图设计申请日:2017年10月18日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16263
布图设计名称:低功耗LDO
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥儒桢信息科技有限责任公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区天元路1号留学生园1号楼102室
布图设计创作人:陈川,高坤军
代理机构:北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:胡剑辉
布图设计创作完成日:2017年9月26日


布图设计登记号:BS.175534993
布图设计申请日:2017年10月18日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16264
布图设计名称:多级运算放大器
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥儒桢信息科技有限责任公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区天元路1号留学生园1号楼102室
布图设计创作人:陈川、高坤军
代理机构:北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:胡剑辉
布图设计创作完成日:2017年9月26日


布图设计登记号:BS.175535019
布图设计申请日:2017年10月19日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16265
布图设计名称:ICN9605
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:北京集创北方科技股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:北京市大兴区亦庄经济技术开发区景园北街2号56幢
布图设计创作人:王东旭、包蕊、张新梅
布图设计创作完成日:2015年12月1日


布图设计登记号:BS.175535043
布图设计申请日:2017年10月19日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16266
布图设计名称:ICN9506
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:北京集创北方科技股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:北京市大兴区亦庄经济技术开发区景园北街2好56幢
布图设计创作人:包蕊
布图设计创作完成日:2017年1月24日


布图设计登记号:BS.175535051
布图设计申请日:2017年10月19日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16267
布图设计名称:ICN9305
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:北京集创北方科技股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:北京市大兴区亦庄经济技术开发区景园北街2号56幢
布图设计创作人:张新梅、王东旭
布图设计创作完成日:2017年3月22日


布图设计登记号:BS.175535078
布图设计申请日:2017年10月19日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16268
布图设计名称:ICN9395
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:北京集创北方科技股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:北京市大兴区亦庄经济技术开发区景园北街2号56幢
布图设计创作人:包蕊、徐兆启
布图设计创作完成日:2017年9月28日


布图设计登记号:BS.175535213
布图设计申请日:2017年10月23日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16269
布图设计名称:ICN9335
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:北京集创北方科技股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:北京市大兴区亦庄经济技术开发区景园北街2号56幢
布图设计创作人:张新梅、王东旭
布图设计创作完成日:2017年4月20日


布图设计登记号:BS.175535221
布图设计申请日:2017年10月23日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16270
布图设计名称:ICN9502
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:北京集创北方科技股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:北京市大兴区亦庄经济技术开发区景园北街2号56幢
布图设计创作人:申国辉
布图设计创作完成日:2017年8月21日


布图设计登记号:BS.175535310
布图设计申请日:2017年10月24日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16271
布图设计名称:低功耗振荡器
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥市华达半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路860号合芜蚌实验区科技创新公共服务和应用技术研发中心B栋六楼
布图设计创作人:彭勇,朱志国
代理机构:北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:胡剑辉
布图设计创作完成日:2017年9月26日


布图设计登记号:BS.175535329
布图设计申请日:2017年10月24日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16272
布图设计名称:低噪声放大器
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥市华达半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路860号合芜蚌实验区科技创新公共服务和应用技术研发中心B栋六楼
布图设计创作人:彭勇、朱娟娟
代理机构:北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:胡剑辉
布图设计创作完成日:2017年9月26日


布图设计登记号:BS.175535337
布图设计申请日:2017年10月24日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16273
布图设计名称:有源高通滤波器
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥市华达半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路860号合芜蚌实验区科技创新公共服务和应用技术研发中心B栋六楼
布图设计创作人:彭勇、朱娟娟
代理机构:北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:胡剑辉
布图设计创作完成日:2017年9月26日


布图设计登记号:BS.175535345
布图设计申请日:2017年10月24日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16274
布图设计名称:Sub1V带隙基准源
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥市华达半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路860号合芜蚌实验区科技创新公共服务和应用技术研发中心B栋六楼
布图设计创作人:彭勇、朱志国
代理机构:北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:胡剑辉
布图设计创作完成日:2017年9月26日


布图设计登记号:BS.17553554X
布图设计申请日:2017年10月26日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16275
布图设计名称:SPMXF01布图设计
布图设计类别:
    结构:Optical-IC
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:湖北京邦科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:湖北省鄂州市梧桐湖新区凤凰大道9号东湖高新科技创意城A03-301
布图设计创作人:徐青、王麟、N•达申佐、谢庆国
布图设计创作完成日:2017年1月17日


布图设计登记号:BS.175536422
布图设计申请日:2017年11月2日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16276
布图设计名称:BUCK内置限流软启动电路BIIS
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:合肥来芯半导体科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市高新区望江西路800号创新产业园B1楼907室
布图设计创作人:刘伟
布图设计创作完成日:2017年10月20日


布图设计登记号:BS.175536597
布图设计申请日:2017年11月3日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16277
布图设计名称:一款超低功耗的通讯接口芯片
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:无锡景明电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省无锡市新吴区菱湖大道228号天安智慧城1-1108-2
布图设计创作人:王勇
代理机构:无锡华源专利商标事务所(普通合伙)
代理人:张悦
布图设计创作完成日:2017年5月20日


布图设计登记号:BS.175009139
布图设计申请日:2017年10月3日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16278
布图设计名称:MBDFF2B
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:上海高性能集成电路设计中心
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区毕升路399号
布图设计创作人:姚荣
代理机构:上海泰能知识产权代理事务所
代理人:黄志达
布图设计创作完成日:2017年8月10日


布图设计登记号:BS.175009147
布图设计申请日:2017年10月3日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16279
布图设计名称:MBDEDFF2B
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:上海高性能集成电路设计中心
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区毕升路399号
布图设计创作人:姚荣
代理机构:上海泰能知识产权代理事务所
代理人:黄志达
布图设计创作完成日:2017年8月10日


布图设计登记号:BS.175009155
布图设计申请日:2017年10月3日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16280
布图设计名称:BLOCK_32X4
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:存储
布图设计权利人:上海高性能集成电路设计中心
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区毕升路399号
布图设计创作人:戴洲滨、赵信
代理机构:上海泰能知识产权代理事务所
代理人:黄志达
布图设计创作完成日:2013年12月30日


布图设计登记号:BS.175009163
布图设计申请日:2017年10月3日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16281
布图设计名称:BLOCK_64X8
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:存储
布图设计权利人:上海高性能集成电路设计中心
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区毕升路399号
布图设计创作人:戴洲滨、赵信
代理机构:上海泰能知识产权代理事务所
代理人:黄志达
布图设计创作完成日:2013年12月10日


布图设计登记号:BS.175009171
布图设计申请日:2017年10月3日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16282
布图设计名称:BLOCK_130X8 
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:存储
布图设计权利人:上海高性能集成电路设计中心
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区毕升路399号
布图设计创作人:戴洲滨、方华
代理机构:上海泰能知识产权代理事务所
代理人:黄志达
布图设计创作完成日:2013年12月20日


布图设计登记号:BS.17500918X
布图设计申请日:2017年10月3日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16283
布图设计名称:MBPLatch2B
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:上海高性能集成电路设计中心
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区毕升路399号
布图设计创作人:姚荣
代理机构:上海泰能知识产权代理事务所
代理人:黄志达
布图设计创作完成日:2017年8月10日


布图设计登记号:BS.175535299
布图设计申请日:2017年10月24日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16284
布图设计名称:IRSOC_ADC
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:苏州云芯微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市昆山市花桥商银路双联国际商务中心7幢6层
布图设计创作人:刘亮明、于剑诚、张磊
布图设计创作完成日:2017年5月17日


布图设计登记号:BS.175535302
布图设计申请日:2017年10月24日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16285
布图设计名称:IRSOC_PGA
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:苏州云芯微电子科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:江苏省苏州市昆山市花桥商银路双联国际商务中心7幢6层
布图设计创作人:刘洪云、李杨、劳桂旋
布图设计创作完成日:2017年3月15日


布图设计登记号:BS.175533067
布图设计申请日:2017年9月21日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16286
布图设计名称:BPP10250DS
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:上海晶丰明源半导体股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区张衡路666弄B栋5楼
布图设计创作人:高志勇、刘新燕、胡黎强、史建玲
代理机构:上海一平知识产权代理有限公司
代理人:李夫玲
布图设计创作完成日:2016年8月31日
布图设计首次商业利用日:2016年10月11日


布图设计登记号:BS.175533075
布图设计申请日:2017年9月21日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16287
布图设计名称:BPP10450DS
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:上海晶丰明源半导体股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区张衡路666弄B栋5楼
布图设计创作人:高志勇、刘新燕、胡黎强、史建玲
代理机构:上海一平知识产权代理有限公司
代理人:李夫玲
布图设计创作完成日:2016年10月22日
布图设计首次商业利用日:2016年12月4日


布图设计登记号:BS.175534489
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16288
布图设计名称:BYMT25D10
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:存储
布图设计权利人:珠海博雅科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省珠海市唐家湾镇大学路101号清华科技园创业大楼A座A1005-1007单元
布图设计创作人:李迪、张登军、刘大海
代理机构:北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人:蔡纯
布图设计创作完成日:2017年4月5日


布图设计登记号:BS.175534543
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16289
布图设计名称:应用于光通信前端的2.5Gbps高性能跨阻放大器
布图设计类别:
    结构:Optical-IC
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:深圳市前海方成微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市龙岗区坂田街道雪岗路2018号天安云谷3B2603
布图设计创作人:刘卫宗、邱巍、钟英权
代理机构:上海一平知识产权代理有限公司
代理人:李夫玲
布图设计创作完成日:2017年3月8日


布图设计登记号:BS.175534551
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16290
布图设计名称:应用于光通信前端的10Gbps高性能跨阻放大器
布图设计类别:
    结构:MOS-Optical-IC
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:深圳市前海方成微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市龙岗区坂田街道雪岗路2018号天安云谷3B2603
布图设计创作人:邱巍、孙鹏程、刘卫宗
代理机构:上海一平知识产权代理有限公司
代理人:李夫玲
布图设计创作完成日:2017年3月8日


布图设计登记号:BS.175534691
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16291
布图设计名称:M88DB4HS2P
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:澜起科技(上海)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市徐汇区宜山路900号科技大楼A1601室
布图设计创作人:澜起科技(上海)有限公司
代理机构:上海一平知识产权代理有限公司
代理人:成春荣
布图设计创作完成日:2017年1月6日


布图设计登记号:BS.175534705
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16292
布图设计名称:M88RCD4HS2P
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑
布图设计权利人:澜起科技(上海)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市徐汇区宜山路900号科技大楼A1601室
布图设计创作人:澜起科技(上海)有限公司
代理机构:上海一平知识产权代理有限公司
代理人:成春荣
布图设计创作完成日:2016年12月22日


布图设计登记号:BS.17553473X
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16293
布图设计名称:M88RCD4XS2P
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:澜起科技(上海)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市徐汇区宜山路900号科技大楼A1601室
布图设计创作人:澜起科技(上海)有限公司
代理机构:上海一平知识产权代理有限公司
代理人:成春荣
布图设计创作完成日:2016年9月30日


布图设计登记号:BS.175534748
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16294
布图设计名称:BYMK25D16
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:存储
布图设计权利人:珠海泓芯科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省珠海市高新区大学路清华科技园A座0222号
布图设计创作人:李迪、张登军、刘大海
代理机构:北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人:蔡纯
布图设计创作完成日:2017年4月5日


布图设计登记号:BS.175534764
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16295
布图设计名称:BYMK25D32
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:存储
布图设计权利人:珠海泓芯科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省珠海市高新区大学路清华科技园A座0222号
布图设计创作人:李迪、张登军、刘大海
代理机构:北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人:蔡纯
布图设计创作完成日:2017年4月5日


布图设计登记号:BS.175534772
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16296
布图设计名称:BYMK25D40
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:存储
布图设计权利人:珠海泓芯科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省珠海市高新区大学路清华科技园A座0222号
布图设计创作人:李迪、张登军、刘大海
代理机构:北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人:蔡纯
布图设计创作完成日:2017年4月5日


布图设计登记号:BS.175535175
布图设计申请日:2017年10月20日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16297
布图设计名称:M88CC8801
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑-其他
布图设计权利人:上海澜至半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市徐汇区宜山路900号1幢A18部位
布图设计创作人:上海澜至半导体有限公司
代理机构:上海一平知识产权代理有限公司
代理人:成春荣
布图设计创作完成日:2017年7月17日


布图设计登记号:BS.175535183
布图设计申请日:2017年10月20日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16298
布图设计名称:M88TC6930
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:逻辑-其他
布图设计权利人:上海澜至半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市徐汇区宜山路900号1幢A18部位
布图设计创作人:上海澜至半导体有限公司
代理机构:上海一平知识产权代理有限公司
代理人:成春荣
布图设计创作完成日:2017年4月24日


布图设计登记号:BS.175535191
布图设计申请日:2017年10月20日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16299
布图设计名称:M88WI6608
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:澜至电子科技(成都)有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省成都市双流区东升街道成都芯谷产业园集中区内
布图设计创作人:澜至电子科技(成都)有限公司
代理机构:上海一平知识产权代理有限公司
代理人:成春荣
布图设计创作完成日:2017年4月17日


布图设计登记号:BS.175009619
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16300
布图设计名称:MOSFET 1N50
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:NMOS
    功能:其他
布图设计权利人:上海宝芯源功率半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:上海市浦东新区盛夏路560号607室
布图设计创作人:王凡
代理机构:上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人:余明伟
布图设计创作完成日:2015年1月1日


布图设计登记号:BS.175009848
布图设计申请日:2017年10月23日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16301
布图设计名称:FM6124
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:深圳市富满电子集团股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市福田区香蜜湖街道农园路时代科技大厦西区18楼
布图设计创作人:深圳市富满电子集团股份有限公司
代理机构:深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)
代理人:胡玉
布图设计创作完成日:2017年1月15日
布图设计首次商业利用日:2017年7月15日


布图设计登记号:BS.175009856
布图设计申请日:2017年10月23日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16302
布图设计名称:FM6128
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:深圳市富满电子集团股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市福田区香蜜湖街道农园路时代科技大厦西区18楼
布图设计创作人:深圳市富满电子集团股份有限公司
代理机构:深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)
代理人:胡玉
布图设计创作完成日:2017年3月16日
布图设计首次商业利用日:2017年9月4日


布图设计登记号:BS.175009864
布图设计申请日:2017年10月23日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16303
布图设计名称:FM8254
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:深圳市富满电子集团股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市福田区香蜜湖街道农园路时代科技大厦西区18楼
布图设计创作人:深圳市富满电子集团股份有限公司
代理机构:深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)
代理人:胡玉
布图设计创作完成日:2016年9月7日
布图设计首次商业利用日:2017年5月15日


布图设计登记号:BS.175009872
布图设计申请日:2017年10月23日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16304
布图设计名称:TC7258EN
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:深圳市富满电子集团股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市福田区香蜜湖街道农园路时代科技大厦西区18楼
布图设计创作人:深圳市富满电子集团股份有限公司
代理机构:深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)
代理人:胡玉
布图设计创作完成日:2017年1月15日
布图设计首次商业利用日:2017年7月15日


布图设计登记号:BS.175009880
布图设计申请日:2017年10月23日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16305
布图设计名称:SC6803Q
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:深圳市富满电子集团股份有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市福田区香蜜湖街道农园路时代科技大厦西区18楼
布图设计创作人:深圳市富满电子集团股份有限公司
代理机构:深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)
代理人:胡玉
布图设计创作完成日:2016年9月2日
布图设计首次商业利用日:2017年3月12日


布图设计登记号:BS.175009953
布图设计申请日:2017年10月25日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16306
布图设计名称:Pear
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:深圳伊凡微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市龙华新区大浪街道高峰社区华荣路33号亿康商务大厦A栋5208室
布图设计创作人:深圳伊凡微电子有限公司
代理机构:深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)
代理人:胡玉
布图设计创作完成日:2014年10月1日


布图设计登记号:BS.17500997X
布图设计申请日:2017年10月25日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16307
布图设计名称:AppIe
布图设计类别:
    结构:Bi-MOS
    技术:CMOS
    功能:其他
布图设计权利人:深圳伊凡微电子有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省深圳市龙华新区大浪街道高峰社区华荣路33号亿康商务大厦A栋5208室
布图设计创作人:深圳伊凡微电子有限公司
代理机构:深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)
代理人:胡玉
布图设计创作完成日:2014年10月1日


布图设计登记号:BS.175534462
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16308
布图设计名称:BYMW25D32
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:存储
布图设计权利人:四川泓芯科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:四川省遂宁市经济技术开发区玉龙路电子检测中心办公楼4014号
布图设计创作人:李迪、张登军、刘大海、张亦锋
代理机构:北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人:蔡纯
布图设计创作完成日:2017年4月5日


布图设计登记号:BS.175534470
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16309
布图设计名称:BYMT25D05
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:存储
布图设计权利人:珠海博雅科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省珠海市唐家湾镇大学路101号清华科技园创业大楼A座A1005-1007单元
布图设计创作人:李迪、张登军、刘大海
代理机构:北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人:蔡纯
布图设计创作完成日:2017年4月5日


布图设计登记号:BS.175534497
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16310
布图设计名称:BYMT25D16
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:存储
布图设计权利人:珠海博雅科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省珠海市唐家湾镇大学路101号清华科技园创业大楼A座A1005-1007单元
布图设计创作人:李迪、张登军、刘大海
代理机构:北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人:蔡纯
布图设计创作完成日:2017年4月5日


布图设计登记号:BS.175534500
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16311
布图设计名称:BYMT25D20
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:存储
布图设计权利人:珠海博雅科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省珠海市唐家湾镇大学路101号清华科技园创业大楼A座A1005-1007单元
布图设计创作人:李迪、张登军、刘大海
代理机构:北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人:蔡纯
布图设计创作完成日:2017年4月5日


布图设计登记号:BS.175534527
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16312
布图设计名称:BYMT25D80
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:存储
布图设计权利人:珠海博雅科技有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:广东省珠海市唐家湾镇大学路101号清华科技园创业大楼A座A1005-1007单元
布图设计创作人:李迪、张登军、刘大海
代理机构:北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人:蔡纯
布图设计创作完成日:2017年4月5日


布图设计登记号:BS.175534578
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16313
布图设计名称:BYMD25D16
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:存储
布图设计权利人:合肥博雅半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市新站区当涂北路530号安徽省泰源工程机械有限责任公司研发中心办公楼10楼
布图设计创作人:李迪、张登军、刘大海、张亦锋
代理机构:北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人:蔡纯
布图设计创作完成日:2017年4月5日


布图设计登记号:BS.175534586
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16314
布图设计名称:BYMD25D20
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:存储
布图设计权利人:合肥博雅半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市新站区当涂北路530号安徽省泰源工程机械有限责任公司研发中心办公楼10楼
布图设计创作人:李迪、张登军、刘大海、张亦锋
代理机构:北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人:蔡纯
布图设计创作完成日:2017年4月5日


布图设计登记号:BS.175534594
布图设计申请日:2017年10月17日
公告日期:2018年8月17日
公告号:16315
布图设计名称:BYMD25D32
布图设计类别:
    结构:MOS
    技术:CMOS
    功能:存储
布图设计权利人:合肥博雅半导体有限公司
布图设计权利人国籍:中国
布图设计权利人地址:安徽省合肥市新站区当涂北路530号安徽省泰源工程机械有限责任公司研发中心办公楼10楼
布图设计创作人:李迪、张登军、刘大海、张亦锋
代理机构:北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人:蔡纯
布图设计创作完成日:2017年4月5日